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盘点金刚石衬底GaN基微波功率器件研究进程

关键词 金刚石 , 半导体|2019-08-29 10:30:49|来源 DT新材料
摘要 2006年,美国Cree公司的Wu等人研制的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT),4GHz时的输出功率密度达到41.4W/mm。近十多年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的...

2006年,美国Cree公司的Wu等人研制的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT),4GHz时的输出功率密度达到 41.4W/mm。近十多年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业。

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氮化镓(GaN)基半导体材料具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度高、易于形成异质结构等优异性能,非常适于研制高频、大功率微波、毫米波器件和电路,是近20余年以来研制微波功率器件最理想的半导体材料。随着外延材料晶体质量的不断提高和器件工艺的不断改进,基于GaN基材料研制的微波、毫米波器件和电路,工作频率越来越高,输出功率越来越大,器件尺寸也越来越小,过热的问题越来越突出,逐渐成为制约这种器件向更高性能提升的障碍之一。

采用高热导率金刚石作为高频、大功率 GaN基器件的衬底或热沉,可以降低器件的自加热效应,并有望解决随总功率增加、频率提高出现的功率密度迅速下降的问题,因此在国际上成为近几年的研究热点。

金刚石在GaN基HEMT中的应用潜力

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4英寸金刚石基GaN晶圆

金刚石具有禁带宽度大、硬度和热导率极高、电子饱和漂移速度高、耐高温、抗腐蚀、抗辐照等优异性能,在高压和高效功率电子、高频和大功率微电子、深紫外光电子等领域都有着极其重要的应用前景。金刚石具有目前所知的天然物质中最高的热导率(2200W/m·K),比碳化硅(SiC)大4倍,比硅(Si)大13倍,比砷化稼(GaAs)大 43倍,是铜和银的4~5倍,所以,目前的一个重要研究方向是将金刚石作为大功率 GaN基微波器件的衬底或将其应用于其他散热通道,有望解决 GaN 基微波器件随总功率增加、频率提高出现的功率密度迅速下降、效率降低和器件失效问题。此外,不掺杂的金刚石亦具有很高的电阻,这也非常有利于提高GaN功率单片微波集成电路(MMIC)的器件隔离度。

硅、碳化硅(SiC)、金刚石衬底GaN对比

硅衬底氮化嫁:这种方法比另外两种良率都低,不过它的优势是可以使用全球低成本、大尺寸CMOS硅晶圆和大量射频硅代工厂。因此,它很快就会以价格为竞争优势对抗现有硅和砷化镓技术,理所当然会威胁它们根深蒂固的市场。

碳化硅衬底氮化镓:这是射频氮化镓的“高端”版本,SiC衬底氮化镓可以提供最高功率级别的氮化镓产品,可提供其他出色特性,可确保其在最苛刻的环境下使用。

金刚石衬底氮化镓:将这两种东西结合在一起是很难的,但是好处也是巨大的:在世界上所有材料中工业金刚石的热导率十分优异(因此最好能够用来散热)。使用金刚石代替硅、碳化硅、或者其他基底材料可以把金刚石高导热率优势发挥出来,可以实现非常接近芯片的有效导热面。

几种典型半导体材料性能对比

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金刚石作为衬底在GaN基HEMT中的研究历程

2001年,德国的Seelmann-Eggebert等人就从理论和实验两方面探讨了化学气相沉积金刚石热扩散膜在GaN基HEMT中的应用潜力。

2003年,Felix Ejeckam发明了金刚石上的GaN,以有效地从GaN晶体管中最热的位置提取热量,其基本理念是利用较冷的GaN放大器使系统更节能,减少浪费。金刚石上的GaN晶片是通过GaN通道或外延将其从原始的Si衬底中剥离下来,而后通过一个35 nm的SiN界面层结合在CVD合成的金刚石衬底上。这种200°C的GaN通道与CVD形成纳米级的金刚石是接近最导热工业材料,它会大大降低放大器的基板和通道之间的温度上升。下图显示了金刚石晶圆片上GaN的制作过程。多年来,许多课题组已经量化了上述的热改善。先将Si衬底GaN基HEMT晶圆片黏贴到一个临时Si载片上,待原始的硅基板被蚀刻掉,然后利用CVD方法在GaN层下方的35 nm的界面层上沉积金刚石。最后,临时的Si载体被蚀刻,最终的金刚石上的GaN晶圆被加工为HEMTs或MMICs。

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金刚石晶圆片上GaN的制作过程

2007年,Francis等对Si、蓝宝石、SiC和金刚石等几种GaN基 HEMT的常用衬底进行了对比研究,研究结果表明,即使是与热导率较高的SiC衬底相比,金刚石衬底GaN基HEMT的优势也非常明显,所研制的金刚石衬底 GaN基 HEMT,热阻降低58%,输出功率密度提高3倍

欧盟于2008年启动 MORGaN项目(2008-11-01~2011-10-31),首先将高热导率金刚石引入了GaN 基HEMT器件和电路的研制中,研究单晶金刚石衬底、纳米金刚石表面覆膜等技术对GaN 基HEMT器件性能的影响。下图给出了他们的一个早期研究结果,研究发现,在器件研制过程中引入纳米金刚石表面覆膜,可以将衬底对器件的影响大大降低,提高器件的散热能力。

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欧盟MORGaN计划研究结果

随后,在2011年,美国国防先期研究计划局(DARPA)启动了 “近结热传输 ”(HJTT)项 目(2011-2015),支持NGAS、BAE、Raytheon、TriQuint和RFMD 5个团队开展金刚石用于GaN基HEMT以解决器件散热问题的研究。这些团队于2013年4月30日演示了所研制的基于金刚石的GaN 基HEMT,该晶体管显示出比商用器件低得多的结温,大幅改善了晶体管的热特性,并且使射频系统的性能得到提升。在保持相同输出功率的情况下,新型放大器比目前最先进的氮化镓放大器尺寸减小3倍,从而使得射频系统的尺寸更小、重量更轻、功耗更低;在保持相同尺寸的情况下,该新型功率放大器可增大输出功率3倍,使得通信系统的信号更强、雷达装备的探测距离更远。

2012年,Hirama等常用的使用SiC为衬底的HEMT 结构与使用金刚石为衬底的HEMT结构的温度进行了测量,在栅宽630um,输出功率2W 的条件下,器件温度最高处分别为36℃与46℃,与室温相比分别上升了13℃和23℃,下图所示。由此计算得使用金刚石衬底的HEMT 热阻值为4。1 K·mm·W-1,是目前所报道的HEMT器件中的最低值。相比之下,相同结构使用SiC衬底的HEMT器件的热阻为7。2 K·mm·W-1,约是使用金刚石衬底的器件热阻的2倍。

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2013年,美国Group4的研究人员对金刚石衬底 GaN基 HEMT器件的可靠性进行了研究,器件在沟道温度 200℃下175000 h的试验过程中,电流变化最大不超过10%,显示了金刚石衬底 GaN基 HEMT在长期可靠性方面的优势。

2017年,富士通公司和富士通实验室宣布开发出第一种在室温下将单晶金刚石键合到SiC基板上的技术。这克服了之前在非常高的温度下进行GaN与金刚石键合时的最大挑战之一:由于热膨胀系数(CTE)的不匹配而导致的晶片弯曲。

通过用极薄的金属膜保护金刚石表面,富士通成功地防止了损伤层的形成,并通过“室温键合”技术将单晶金刚石键合到SiC衬底上。使用实际测量的热参数进行仿真确认使用该技术的器件热阻将降低至现有的61%。该技术保证了GaN功率放大器在应用于气象雷达等系统时能够以约1.5倍的更高功率工作。

2017年3月,RFHIC宣布他们已从元素六公司收购了金刚石基GaN技术,并计划在2018年底前将该工艺商业化。自2016年以来,他们一直在使用金刚石基GaN技术,并在其声明中称“在可预见的未来,RFHIC将与元素六和代工合作伙伴密切合作,实现10000个6英寸金刚石基GaN的年产出。RFHIC的技术路线图是在2018年底前发布覆盖40 GHz的金刚石基GaN解决方案。”

国内重点研究金刚石衬底GaN基HEMT的单位主要集中在中电集团、中科院半导体所、西安交通大学、西安电子科技大学、电子科技大学等,并相继取得突破,掌握了高质量半导体金刚石单晶材料制备的MPCVD和RFCVD技术,实现英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化。

未来展望

基于多晶金刚石的衬底转移技术、基于单晶金刚石的材料直接外延技术和基于纳米金刚石薄膜的器件表面覆膜技术,在解决高频、大功率GaN基HEMT的散热方面都具有非常重要的应用潜力。下一代金刚石基GaN技术将支撑未来高功率射频和微波通信、宇航和军事系统,为5G和6G移动通信网络和更复杂的雷达系统铺平道路。

第四届国际碳材料大会暨产业展览会已邀请中国电子科技集团公司首席专家,中国电科13所专用集成电路国家级重点实验室常务副主任,冯志红副总工程师分享《高质量金刚石材料及其在微波功率器件的应用》,以下是具体信息。

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个人简介
       冯志红,博士,研究员,博导,毕业于香港科技大学电机与电子工程系,现任河北半导体所专用集成电路国家级重点实验室常务副主任,副总工程师,中国电子科技集团公司首席专家,国际电工委员会(IEC)专家。发表SCI/EI论文共计100余篇。研究方向涉及宽禁带半导体GaN,石墨烯、金刚石和固态太赫兹等技术领域。

报告题目:高质量金刚石材料及其在微波功率器件的应用

内容简介:金刚石具有优异的性质,例如最高的热导率,高临界击穿电场,高载流子迁移率,高饱和漂移速度以及宽的禁带宽带,是制作高频高功率器件的理想候选材料。金刚石特殊的晶体结构使其难以掺杂,氢处理可以获得表面氢终端p型导电沟道。但是,对于高频高功率应用,金刚石二维空穴气的方阻仍然很高,迁移率低,使得氢终端金刚石场效应晶体管的寄生电阻大,限制其性能。本工作中,研究了氢终端金刚石二维空穴气的输运特性。单晶和多晶氢终端金刚石的迁移率满足关系,表明离化杂质散射起主导作用。制作了单晶和多晶金刚石MESFET和MOSFET器件。研究了晶体质量,器件结构栅长,源漏间距等对氢终端金刚石射频性能的影响。

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